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電子氣體在高新技術(shù)中的應(yīng)用
發(fā)布時(shí)間:2022-07-12 09:18:41      點(diǎn)擊次數(shù):685

進(jìn)入20世紀(jì)90年代以后,隨著我國(guó)高新技術(shù)的快速發(fā)展,計(jì)算機(jī)工業(yè)對(duì)大規(guī)模集成電路、液晶顯示器的需求大量增加;隨著新型能源的發(fā)展,我國(guó)大力開拓了多晶硅太陽能電池和薄膜太陽能電池的生產(chǎn);此外,新型電光源、光電半導(dǎo)體器件(GaAs、InP、AlGaAs)、光纖通訊器件也獲得迅猛發(fā)展,在上述高新產(chǎn)品的生產(chǎn)中,都需要大量高純氣體,以制造出性能可靠的各種器件。

 

大規(guī)模集成電路
化學(xué)氣相沉淀:SiH4,NH3,O2,N2O,TEOS(四乙氧基硅)
化學(xué)刻蝕:CF4,SF6,NF3,Cl2,CCl,BCl3,KrF,ArF,HBr,HCl
化學(xué)摻雜:BF3,B2H6,PH3,AsH3

 

液晶屏
化學(xué)氣相沉淀:SiH4,SiNx
化學(xué)刻蝕:SF6,HCl,Cl2

 

太陽能電池
化學(xué)氣相沉淀:SiH4,NH3,NF3
擴(kuò)散、刻蝕:POCl3,O2,CF4

 

光電半導(dǎo)體
化學(xué)氣相沉淀:AsH3,PH3,NH3,N2,H2
化學(xué)刻蝕:BCl3,Cl2

 

光導(dǎo)纖維
化學(xué)氣相沉淀:SiH4,SiCl4,D2,GeCl4
化學(xué)刻蝕:CF4,KrF,ArF,Cl2,SF6


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